SSM3K7002CFU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

170 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

0.27 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

SSM3K7002

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2 ns

Gewichtseinheit:

0.000988 oz

Tags

SSM3K7002, SSM3K70, SSM3K7, SSM3K, SSM3, SSM