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TGF2953

TGF2953
Mfr. #:
TGF2953
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2953 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2953 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
18.2 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
32 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
820 mA
Ausgangsleistung:
41.6 dBm
Maximale Drain-Gate-Spannung:
100 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
17 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
sterben
Verpackung:
Gel-Pack
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
15 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Marke:
Qorvo
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1112257
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 12 W, 18.2 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2953
DISTI # 772-TGF2953		QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
RoHS: Compliant		50
  • 50:$43.9000
  • 100:$37.9700
1112257
DISTI # TGF2953		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$25.3000
Bild Teil # Beschreibung
HMC424ALP3E

Mfr.#: HMC424ALP3E

OMO.#: OMO-HMC424ALP3E

 Attenuators 5 dB LSB 6-Bit dig atten SMT
PIC16F886-I/SP

Mfr.#: PIC16F886-I/SP

OMO.#: OMO-PIC16F886-I-SP

 8-bit Microcontrollers - MCU 14KB Flash 368 RAM 25 I/O
02015J1R0PBSTR

Mfr.#: 02015J1R0PBSTR

OMO.#: OMO-02015J1R0PBSTR

 Silicon RF Capacitors / Thin Film 50V 1pF .02pFTol ThinFilm 0201
HMC424ALP3E

Mfr.#: HMC424ALP3E

OMO.#: OMO-HMC424ALP3E-ANALOG-DEVICES

 Active Attenuator Attenuators 5 dB LSB 6-Bit dig atten SMT
XFL4020-222MEB

Mfr.#: XFL4020-222MEB

OMO.#: OMO-XFL4020-222MEB-1190

 Fixed Inductors 2.2uH 20% 8A 23.5mOhms AEC-Q200
ABM10W-30.0000MHZ-4-B1U-T3

Mfr.#: ABM10W-30.0000MHZ-4-B1U-T3

OMO.#: OMO-ABM10W-30-0000MHZ-4-B1U-T3-ABRACON

 Crystal 30MHz ±10ppm (Tol) ±10ppm (Stability) 4pF FUND 70Ohm 4-Pin SMD T/R
1132-6025

Mfr.#: 1132-6025

OMO.#: OMO-1132-6025-AMPHENOL-SV-MICROWAVE

 RF Adapters - Between Series SMPM F to SMA F Thread-In Adapte
ASDMB-48.000MHZ-XY-T

Mfr.#: ASDMB-48.000MHZ-XY-T

OMO.#: OMO-ASDMB-48-000MHZ-XY-T-ABRACON

 Standard Clock Oscillators 48MHz 10ppm -40C +105C
9C-27.000MEEJ-T

Mfr.#: 9C-27.000MEEJ-T

OMO.#: OMO-9C-27-000MEEJ-T-TXC

 Crystals 27.000MHz 10ppm -20 +70C 18pF
C005YK1R0PBSTR

Mfr.#: C005YK1R0PBSTR

OMO.#: OMO-C005YK1R0PBSTR-AVX

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16volts 1.0pF
Verfügbarkeit
Aktie:
50
Auf Bestellung:
2033
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Menge
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50
43,90 $
2 195,00 $
100
37,97 $
3 797,00 $
250
35,69 $
8 922,50 $
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