DMPH6050SFGQ-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

50 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

25.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.3 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

46.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.3 ns

Gewichtseinheit:

0.002540 oz

Tags

DMPH605, DMPH60, DMPH6, DMPH, DMP