IXTH6N100D2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

95 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.46 mm

Länge:

16.26 mm

Serie:

IXTH6N100

Typ:

MOSFET im Verarmungsmodus

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.6 S

Abfallzeit:

47 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTH6N1, IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT