STF10P6F6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

160 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

6.4 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

20 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Rohr

Serie:

STF10P6F6

Transistortyp:

1 P-Channel Power MOSFET

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

3.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.3 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

64 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STF10, STF1, STF