SIDR608DP-T1-RE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

45 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

208 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 16 V, 20 V

Qg - Gate-Ladung:

111 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Tags

SIDR6, SIDR, SID