BSS84PW H6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

150 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

BSS84

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS

Abfallzeit:

20.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Teil # Aliase:

BSS84PWH6327XT BSS84PWH6327XTSA1 SP000917564

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

BSS84PWH, BSS84PW, BSS84P, BSS84, BSS8, BSS