NVTP2955G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

156 mOhms

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

62.5 W

Aufbau:

Single

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

85 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

47 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

NVT