DMP2035UTS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.04 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

23 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

15.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMP2035

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S

Abfallzeit:

42.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

94.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16.8 ns

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

DMP2035, DMP203, DMP20, DMP2, DMP