APTM08TAM04PG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

Phasenabschnitt

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

SP6-P

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 100 C

Verpackung:

Rohr

Aufbau:

3-Phase

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

65 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Pd - Verlustleistung:

138 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.2 mOhms

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Gewichtseinheit:

3.880136 oz

Tags

APTM, APT