BC33825BU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.8 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BC338

DC-Stromverstärkung hFE Max:

630

Höhe:

4.58 mm

Länge:

4.58 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

3.86 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.8 A

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

BC33825BU_NL

Gewichtseinheit:

0.006286 oz

Tags

BC3382, BC338, BC33, BC3