2SD1816T-H

2SD1816T-H
Mfr. #:
2SD1816T-H
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2SD1816T-H Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
ON Semiconductor
Produktkategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF
Serie
2SD1816
Verpackung
Schüttgut
Gewichtseinheit
0.139332 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-251
Pd-Verlustleistung
1 W
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
100 V
Transistor-Polarität
NPN
Emitter-Basis-Spannung-VEBO
6 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom
4 A
DC-Kollektor-Basis-Gain-hfe-Min
70
Tags
2SD1816T, 2SD1816, 2SD181, 2SD18, 2SD1, 2SD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***emi
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
***emi
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
***ark
TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:4A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Qualification:- RoHS Compliant: Yes
***emi
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
***ure Electronics
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN
***ical
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
***nell
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A/TO251;
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2SD1816T-H
DISTI # 2SD1816T-H-ND
ON SemiconductorTRANS NPN 100V 4A TP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Bulk
Limited Supply - Call
  • 1000:$0.3131
2SD1816T-HON Semiconductor 
RoHS: Not Compliant
20500
  • 1000:$0.2800
  • 500:$0.2900
  • 100:$0.3000
  • 25:$0.3200
  • 1:$0.3400
2SD1816T-H
DISTI # 863-2SD1816T-H
ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
RoHS: Compliant
0
    Bild Teil # Beschreibung
    2SD1803S-E

    Mfr.#: 2SD1803S-E

    OMO.#: OMO-2SD1803S-E

    Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
    2SD1835S-AA

    Mfr.#: 2SD1835S-AA

    OMO.#: OMO-2SD1835S-AA

    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
    2SD1803,D1803

    Mfr.#: 2SD1803,D1803

    OMO.#: OMO-2SD1803-D1803-1190

    Neu und Original
    2SD1820A-R , NC7WB3306K8

    Mfr.#: 2SD1820A-R , NC7WB3306K8

    OMO.#: OMO-2SD1820A-R-NC7WB3306K8-1190

    Neu und Original
    2SD1826

    Mfr.#: 2SD1826

    OMO.#: OMO-2SD1826-1190

    - Bulk (Alt: 2SD1826)
    2SD1826.

    Mfr.#: 2SD1826.

    OMO.#: OMO-2SD1826--1190

    Neu und Original
    2SD1862

    Mfr.#: 2SD1862

    OMO.#: OMO-2SD1862-1190

    Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SIP
    2SD1898-P

    Mfr.#: 2SD1898-P

    OMO.#: OMO-2SD1898-P-1190

    Neu und Original
    2SD1898G-Q-AB3-R

    Mfr.#: 2SD1898G-Q-AB3-R

    OMO.#: OMO-2SD1898G-Q-AB3-R-1190

    Neu und Original
    2SD1816S-TL-EX

    Mfr.#: 2SD1816S-TL-EX

    OMO.#: OMO-2SD1816S-TL-EX-1190

    - Bulk (Alt: 2SD1816S-TL-EX)
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    37,80 $
    500
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    0,34 $
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