DMHT6016LFJ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

V-DFN5045-12

Anzahl der Kanäle:

4 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.16 W

Aufbau:

Quad

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

4 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.4 ns

Tags

DMHT, DMH