SSM3J112TU,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UFM-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

310 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SSM3J112TU

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.5 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.000233 oz

Tags

SSM3J112, SSM3J11, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM