BCV47TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Darlington-Transistoren

RoHS:

Y

Aufbau:

Single

Polarität des Transistors:

NPN

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

10 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Maximaler Kollektor-Abschaltstrom:

0.1 uA

Pd - Verlustleistung:

330 mW

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BCV47

Verpackung:

Spule

DC-Stromverstärkung hFE Max:

2000

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

2000 at 0.1 mA at 1 V, 4000 at 10 mA at 5 V, 10000 at 100 mA at 5 V, 2000 at 500 mA at 5 V

Produktart:

Darlington-Transistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BCV47T, BCV47, BCV4, BCV