NTMSD6N303R2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

24 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Abfallzeit:

34 ns, 45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns, 22 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns, 9 ns

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

NTMSD6N303R, NTMSD6N30, NTMSD6, NTMSD, NTMS, NTM