RJK2075DPA-00#J5A

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WPAK-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

54 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

38 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

65 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

RJK2075

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Renesas Elektronik

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

49 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Tags

RJK207, RJK20, RJK2, RJK