IRF5802TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

900 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

4.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.55 S

Abfallzeit:

9.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Teil # Aliase:

SP001561828

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

IRF5802TRP, IRF5802T, IRF5802, IRF580, IRF58, IRF5, IRF