PH1730AL,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.45 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

36.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

109 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal TrenchMOS Logic Level FET

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

72 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

76 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

46 ns

Tags

PH173, PH17, PH1