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CMPA801B025F

CMPA801B025F
Mfr. #:
CMPA801B025F
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 8.0-11.0GHz, 25 Watt
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CMPA801B025F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
CMPA801B025F Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-Verstärker
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DFN-8
Typ:
Flat-Gain-LNA
Arbeitsfrequenz:
600 MHz to 6 GHz
P1dB - Kompressionspunkt:
19 dBm
Gewinnen:
21.6 dB
Betriebsversorgungsspannung:
5 V
NF - Rauschzahl:
0.95 dB
Testhäufigkeit:
5.5 GHz
OIP3 - Abfangen dritter Ordnung:
35.5 dBm
Betriebsversorgungsstrom:
56 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 105 C
Serie:
QPL9503
Verpackung:
Spule
Marke:
Qorvo
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Entwicklungs-Kit:
QPL9503EVB-01
Eingangsrückflussdämpfung:
10 dB
Produktart:
HF-Verstärker
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Drahtlose und integrierte HF-Schaltungen
Tags
CMPA8, CMPA, CMP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ 440208
***hardson RFPD
RF & MW POWER AMPLIFIER
GaN HEMT based MMICs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMT (High Electron Mobility Transistor) based MMICs (monolithic microwave integrated circuits) enable extremely wide bandwidths to be achieved in small footprint packages. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.Learn More
X-Band GaN HEMTs & MMICs
Wolfspeed/Cree X-Band GaN HEMTs & MMICs wide bandgap increases the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
CMPA801B025F
DISTI # CMPA801B025F-ND		WolfspeedIC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ 440208
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		124In Stock
  • 1:$414.1000
CMPA801B025F-TB
DISTI # CMPA801B025F-TB-ND		WolfspeedIC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ MODULE
RoHS: Compliant
Min Qty: 2
Container: Bulk		Temporarily Out of Stock
  • 2:$715.0000
CMPA801B025F
DISTI # 941-CMPA801B025F		Cree, Inc.RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 8.0-11.0GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant		12
  • 1:$414.1000
CMPA801B025F-TB
DISTI # 941-CMPA801B025F-TB		Cree, Inc.RF Amplifier Test Board without GaN MMIC
RoHS: Compliant		6
  • 1:$715.0000
CMPA801B025F
DISTI # CMPA801B025F		WolfspeedRF & MW POWER AMPLIFIER
RoHS: Compliant		0
  • 1:$414.1000
Bild Teil # Beschreibung
CMPA801B025F-TB

Mfr.#: CMPA801B025F-TB

OMO.#: OMO-CMPA801B025F-TB

 RF Amplifier Test Board without GaN MMIC
AIML-0603-270K-T

Mfr.#: AIML-0603-270K-T

OMO.#: OMO-AIML-0603-270K-T

 Fixed Inductors 27000nH, 1mA Tol.=+/-5%
AIML-0603-270K-T

Mfr.#: AIML-0603-270K-T

OMO.#: OMO-AIML-0603-270K-T-ABRACON

 Fixed Inductors 27000nH, 1mA Tol.=+/-5%
CMPA801B025F-TB

Mfr.#: CMPA801B025F-TB

OMO.#: OMO-CMPA801B025F-TB-WOLFSPEED

 IC RF AMP 8.5GHZ-11GHZ MODULE
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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