CSD18512Q5BT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

98 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

139 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Serie:

CSD18512Q5B

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

136 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.004081 oz

Tags

CSD1851, CSD185, CSD18, CSD1, CSD