MMBT3904FA-7B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X2-DFN0806-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.3 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MMBT3904FA

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 1 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30 at 100 mA, 1 V

Pd - Verlustleistung:

435 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

MMBT3904F, MMBT3904, MMBT390, MMBT39, MMBT3, MMBT, MMB