TSM061NA03CV RGG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PDFN33-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

66 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

19.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

44.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

Gleichrichter

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

51 S

Abfallzeit:

7.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.8 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.6 ns

Tags

TSM06, TSM0, TSM