MJW21192

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

150 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

8 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

21.08 mm (Max)

Länge:

16.26 mm (Max)

Verpackung:

Rohr

Breite:

5.3 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

8 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15

Pd - Verlustleistung:

125 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

MJW21192, MJW21, MJW2, MJW