FDB86360-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

110 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

207 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

333 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FDB86360_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

197 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

86 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

75 ns

Teil # Aliase:

FDB86360_F085

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FDB86360-F, FDB86360, FDB863, FDB86, FDB8, FDB