FQU2N90TU-WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

900 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.2 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.3 mm

Länge:

6.8 mm

Serie:

FQU2N90

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

30 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

5040

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

FQU2N90TU_WS

Gewichtseinheit:

0.012102 oz

Tags

FQU2N90TU-W, FQU2N90T, FQU2N9, FQU2N, FQU2, FQU