DMN2004K-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

630 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

0.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN2004

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

37.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

59.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMN2004K-7, DMN2004K, DMN2004, DMN200, DMN20, DMN2, DMN