SQJQ906EL-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-8x8L-4

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

160 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 mOhms, 3.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC, 45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

187 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

86 S, 86 S

Abfallzeit:

3 ns, 3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns, 3 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns, 25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 10 ns

Tags

SQJQ90, SQJQ9, SQJQ, SQJ