FQB19N10TM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

65 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

150 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

FQB19N1, FQB19, FQB1, FQB