IPI084N06L3 G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

29 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

79 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.45 mm

Länge:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

35 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

IPI084N06L3GXKSA1 SP001065242

Gewichtseinheit:

0.070548 oz

Tags

IPI084, IPI08, IPI0, IPI