BUK9K8R7-40EX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56D-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.66 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

15.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

53 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

5.3 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

18.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19.8 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.8 ns

Tags

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