SPA17N80C3XK

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

177 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.15 mm

Länge:

10.65 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.85 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Teil # Aliase:

SP000216353 SPA17N80C3 SPA17N80C3XKSA1

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

SPA17N80C, SPA17N, SPA17, SPA1, SPA