DMN60H080DS-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

76 mS

Abfallzeit:

158 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMN60H, DMN60, DMN6, DMN