BUK7Y4R8-60EX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

73.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

238 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

31 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

57 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.002995 oz

Tags

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