FQI19N20TU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

120 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.13 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14.5 S

Abfallzeit:

80 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

190 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Teil # Aliase:

FQI19N20TU_NL

Gewichtseinheit:

0.054004 oz

Tags

FQI19N2, FQI19, FQI1, FQI