NIF9N05CLT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

52 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

107 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.69 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.57 mm

Länge:

6.5 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.8 S

Abfallzeit:

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

780 ns, 906 ns, 1540 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

275 ns, 242 ns, 107 ns

Gewichtseinheit:

0.008818 oz

Tags

NIF9N05CLT, NIF9N05C, NIF9, NIF