APT4F120K

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

43 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.5 S

Abfallzeit:

6.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.4 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.4 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

APT4, APT