LF412CDE4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Versorgungsspannung - Max.:

36 V

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

GBP - Bandbreitengewinn Produkt:

3 MHz

SR - Anstiegsrate:

13 V/us

CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis:

70 dB to 100 dB

Ib - Eingangs-Bias-Strom:

200 pA

Vos - Eingangs-Offsetspannung:

3 mV

Versorgungsspannung - Min.:

7 V

Betriebsversorgungsstrom:

2.25 mA

Minimale Betriebstemperatur:

0 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 70 C

Stilllegen:

Keine Abschaltung

Serie:

LF412

Verpackung:

Rohr

Verstärkertyp:

Hochgeschwindigkeitsverstärker

Höhe:

1.58 mm

Länge:

4.9 mm

Produkt:

Operationsverstärker

Versorgungstyp:

Dual

Technologie:

BiFET

Breite:

3.91 mm

Marke:

Texas Instruments

Doppelte Versorgungsspannung:

+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V

de - Rauschdichte der Eingangsspannung:

18 nV/sqrt Hz

In - Eingangsrauschstromdichte:

0.01 pA/sqrt Hz

Maximale doppelte Versorgungsspannung:

+/- 18 V

Minimale duale Versorgungsspannung:

+/- 3.5 V

Betriebsversorgungsspannung:

7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Produktart:

Operationsverstärker - Operationsverstärker

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

Verstärker-ICs

Vcm - Gleichtaktspannung:

Negative Rail + 4 V to Positive Rail - 4 V

Spannungsverstärkung dB:

106.02 dB

Gewichtseinheit:

0.002561 oz

Tags

LF412CD, LF412C, LF412, LF41, LF4