RUF015N02TL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323T-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

1.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.77 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

RUF015N02

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Breite:

1.7 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

RUF015N02

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

RUF015N02T, RUF01, RUF0, RUF