IRF7807VD1PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

25 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FETKY-MOSFET und Schottky-Diode

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Abfallzeit:

2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.2 ns

Werkspackungsmenge:

95

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.3 ns

Teil # Aliase:

SP001551528

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

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