PMD10K100

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

20 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

PMD10K100

DC-Stromverstärkung hFE Max:

20000

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

12 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

1000

Pd - Verlustleistung:

150 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

20

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBFREE PMD10K100

Tags

PMD10K, PMD10, PMD1, PMD