5LN01SP

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

SC-72-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.57 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Aufbau:

Single

Verpackung:

Schüttgut

Serie:

5LN01SP

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.18 S

Abfallzeit:

105 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

42 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

190 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

5LN01SP, 5LN01S, 5LN01, 5LN