IXTH140P10T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

140 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

400 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

568 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTH140P10

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

115 S

Abfallzeit:

26 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

86 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

58 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTH140, IXTH14, IXTH1, IXTH, IXT