IRFH5215TR2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

58 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

20 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.6 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

21 S

Abfallzeit:

2.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.3 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001565794

Gewichtseinheit:

0.017637 oz

Tags

IRFH521, IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF