IXTA1N200P3HV

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

400 mS

Abfallzeit:

80 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.052911 oz

Tags

IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT