FQN1N50CTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

380 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Munitionspackung

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

FQN1N50C

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.6 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

FQN1N5, FQN1, FQN