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TGF2978-SM

TGF2978-SM
Mfr. #:
TGF2978-SM
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2978-SM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2978-SM Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
13 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
32 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 2.7 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
326 mA
Ausgangsleistung:
6 W
Maximale Betriebstemperatur:
+ 225 C
Pd - Verlustleistung:
8.4 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
QFN-16
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Höhe:
0.203 mm
Länge:
3 mm
Arbeitsfrequenz:
DC to 12 GHz
Typ:
GaN SiC HEMT
Breite:
3 mm
Marke:
Qorvo
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Entwicklungs-Kit:
TGF2977-SMEVB1
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1127257
Gewichtseinheit:
0.002014 oz
Tags
TGF297, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC - 12 GHz, 20 W, 11 dB, 32 V, GaN, Plastic QFN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF297x GaN RF Transistor
Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz. The TGF2970 transistors offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operation. Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2978-SM
DISTI # 772-TGF2978-SM		QorvoRF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
RoHS: Compliant		143
  • 1:$49.6000
  • 25:$42.9000
  • 100:$37.1000
TGF2978-SM-EVB
DISTI # 772-TGF2978-SM-EVB		QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant		0
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
C1608X7R2A102K080AA

Mfr.#: C1608X7R2A102K080AA

OMO.#: OMO-C1608X7R2A102K080AA-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 1000pF 100volts X7R 10%
Verfügbarkeit
Aktie:
143
Auf Bestellung:
2126
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
49,60 $
49,60 $
25
42,90 $
1 072,50 $
100
37,10 $
3 710,00 $
250
34,51 $
8 627,50 $
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