CSD19532KTTT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

44 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

19.7 mm

Länge:

9.25 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

CSD19532KTT

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal-MOSFET

Breite:

10.26 mm

Marke:

Texas Instruments

Abfallzeit:

2 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.068643 oz

Tags

CSD19532, CSD1953, CSD19, CSD1, CSD