IRF7526D1PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Micro-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7.5 nC

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.11 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

Infineon / IR

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

80

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001551438

Tags

IRF7526, IRF752, IRF75, IRF7, IRF