ZXTD6717E6TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

12 V to 15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

15 V, 12 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

16.5 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A, 3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

180 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

450

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.5 A, 1.25 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000229 oz

Tags

ZXTD6717E6T, ZXTD67, ZXTD6, ZXTD, ZXT